特許

J-GLOBAL ID：200903037281748510

放射線撮像装置

発明者： 渡辺 実 ,  森下 正和
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085364
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296654
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】放射線を電荷に変換し画像として表示させる放射線撮像装置において、発生した電荷を忠実に信号処理回路に転送する安定した高性能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】放射線撮像装置は、少なくとも、基板と、基板上に配設されを光検出素子10と、この光検出素子10に接続された複数のTFT(薄膜トランジスタ)20とを有する。TFT20は、ソース電極21、ドレイン電極22、及びゲート電極23と、ソース電極21及びドレイン電極22に対しゲート電極23と反対側に配置されたシールド電極24とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくとも、基板と、前記基板上に配設されを光検出素子と、前記光検出素子に接続された複数の薄膜トランジスタとを有し、 前記薄膜トランジスタは、ソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、前記ソース電極及びドレイン電極に対し前記ゲート電極と反対側に配置されたシールド電極とを有することを特徴とする放射線撮像装置。

IPC (5件)：

H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L27/14 ,  H01L29/786 ,  H04N5/32

FI (5件)：

H01L27/14 C ,  H04N5/32 ,  H01L29/78 612Z ,  H01L29/78 619B ,  H01L27/14 K

Fターム (45件)：

4M118AA06 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA07 ,  4M118CB11 ,  4M118CB14 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB27 ,  4M118GA10 ,  4M118GB15 ,  5C024AX11 ,  5C024CY47 ,  5C024GX01 ,  5C024GY31 ,  5F110AA21 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE30 ,  5F110EE44 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110GG24 ,  5F110GG35 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03 ,  5F110HK21 ,  5F110HK24 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN49 ,  5F110QQ09