特許

J-GLOBAL ID：200903037284034070

半導体集積回路装置の製造方法および製造装置

発明者： 木下 英雄 ,  坂田 泰樹 ,  大西 紹弘 ,  友澤 明弘
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立マイコンシステム
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-230458
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074724
出願日： 1996年08月30日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 超音波を利用して半導体ウエハをスクラブ洗浄する際に、超音波エネルギーがLSIパターンにダメージを与えないようにする。【解決手段】 スプレイノズル24のヘッド25の下端から噴出する洗浄水27の照射角度が75 ゚〜90 ゚の範囲内となるようにアーム23の角度を調整し、半導体基板1の回転中心軸の半径方向に沿ってヘッド25を走査移動させながら半導体基板1の上面(裏面)に超音波が伝播された洗浄水27を照射して異物の除去を行うようにした。

請求項（抜粋）：

超音波振動が伝播された洗浄液を基板に照射して前記基板の表面洗浄を行う工程を含む半導体集積回路装置の製造方法であって、前記洗浄液を超音波エネルギーの基板透過率が最小となるような入射角度で照射することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304

FI (2件)：

H01L 21/304 341 N ,  H01L 21/304 341 M