特許

J-GLOBAL ID：200903037295058834

横型気相エピタキシャル成長方法及びその成長装置

発明者： 皆川 俊一 ,  目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-245507
公開番号（公開出願番号）：特開平11-087252
出願日： 1997年09月10日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 エピタキシャル層の膜厚均一性が良好な横型気相エピタキシャル成長方法及びその成長装置を提供するものである。【解決手段】 反応管1内に原料ガスGを供給した後、ヒータ5によりサセプタ2に支持された基板3を加熱すると共に、上記原料ガスGを加熱分解して基板3上にエピタキシャル層を形成する横型気相エピタキシャル成長方法において、上記サセプタ2よりも上記原料ガスGの流れ方向上流側に設けた上流ヒータ7で、原料ガスGを予め熱分解させるようにしたものである。

請求項（抜粋）：

反応管内に原料ガスを供給した後、ヒータによりサセプタに支持された基板を加熱すると共に、上記原料ガスを加熱分解して基板上にエピタキシャル層を形成する横型気相エピタキシャル成長方法において、上記サセプタよりも上記原料ガスの流れ方向上流側に設けた上流ヒータで、原料ガスを予め熱分解させるようにしたことを特徴とする横型気相エピタキシャル成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/16

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C23C 16/46 ,  C30B 25/16