LSI用パターンレイアウト作製方法、LSI用パターン形成方法、並びにLSIの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255304
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091436
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】LSI用パターンのマスクレイアウトを作製する方法、前記レイアウト作製方法を用いて行なうLSI用パターン形成方法、およびLSIの製造方法を提供する。【解決手段】LSIのレイアウトパターン作製において、レイアウトパターンからトランジスタ領域を抽出する工程と、トランジスタの突き出しの後退量をレイアウトパターン寸法及び露光条件を変数とした連続関数として評価する工程と、上記連続関数に露光条件の変数にエラー分布を与えつつトランジスタの突き出しの後退量を評価することによりトランジスタが正常動作する確率を算出する工程を実行して、トランジスタの正常動作確率が所定値以上となるようにマスクパターンを作製する。

請求項（抜粋）：

LSIのレイアウトパターンにおいて、トランジスタを構成するゲートパターンのうちトランジスタ領域から突出する部分の仕上がり寸法によって定義されるトランジスタ突き出し寸法が、前記レイアウトパターンにおけるゲートパターンの寸法、前記ゲートパターンの周囲に位置するパターンとの間隔、並びにリソグラフィ工程における露光条件を変数とする連続関数によって表わされたトランジスタ突き出し寸法評価式を作製する工程と、LSI用パターンを構成する複数のパターンからトランジスタ突き出し寸法の制御の対象となるパターンを抽出する工程と、前記トランジスタ突き出し寸法評価式に、前記対象パターンと対応するマスクにおけるパターンの寸法、前記パターンの周囲に位置するパターンとの間隔並びにLSI用パターンを形成するためのリソグラフィ工程における露光条件を代入することにより、制御対象となるトランジスタ突き出し寸法を算出する工程と、算出されたトランジスタ突き出し寸法が前記トランジスタを正常動作させるために目標とする寸法範囲内の値であるか否かを判断し、算出されたトランジスタ突き出し寸法が目標とする寸法範囲内の値であると判断するときに、トランジスタ突き出し寸法評価式に代入されたパターン寸法と前記パターンの周囲に位置するパターンとの間隔に基づいてLSI用パターンのマスクレイアウトを作製する工程と、を包含するLSI用パターンのレイアウト作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , G03F 1/08 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/82 Z , G03F 1/08 A , H01L 21/30 502 P

Fターム (8件)：

2H095BB01 , 5F064CC12 , 5F064DD05 , 5F064DD09 , 5F064DD10 , 5F064DD50 , 5F064GG10 , 5F064HH12

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