特許

J-GLOBAL ID：200903037298131362

イオン打込み方法

発明者： 田中 稔彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-134314
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349765
出願日： 1993年06月04日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【構成】基板1の全面に露光光を吸収する有機膜5を形成し、その上にレジストパターン6を形成する。有機膜を加工せずにイオン打込みを行い、その後、レジストパターン6ごと有機膜5を除去する。【効果】露光光を吸収する有機膜によりハレーションは防止される。有機膜加工を伴わないので簡便である。精度良く微細な場所にイオンを打込むことができる。

請求項（抜粋）：

基板上にフォトレジスト膜を塗布し、フォトマスクを用いて所望のパターンを前記フォトレジスト膜上に露光し、その後、現像を行ってフォトレジストパターンを形成し、その後、イオン打込みを行って所望の場所に所望のイオンが所望の濃度打ち込まれた基板を作るイオン打込み方法において、前記基板上に前記フォトレジスト膜を塗布する工程の前に前記基板上に露光光を吸収する有機膜を形成し、前記有機膜を介してイオン打込みをすることを特徴とするイオン打込み方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/265 H ,  H01L 21/30 361 T