特許
J-GLOBAL ID：200903037298509802
ペロブスカイト系酸化膜の形成方法およびペロブスカイト系酸化膜を用いた薄膜トランジスタとその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-160527
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074358
出願日： 1993年06月30日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 ペロブスカイト系酸化膜の形成方法とそれをゲート絶縁膜に用いた薄膜トランジスタに関し、下地電極の酸化を防いで高誘電率の絶縁膜を形成し、液晶ディスプレイデバイスの画素の開口率を大きくする手段を提供する。【構成】 絶縁性透明基板1の上の下地のゲート電極2の上に、ゲート電極2の酸化を防ぐためのペロブスカイト系酸化膜からなる第1の絶縁膜3を酸素分圧の少ないAr混合ガスまたはArガスのRFスパッタリングによって形成し、その上に、高誘電率のペロブスカイト系酸化膜からなる第2の絶縁膜4を酸素分圧の大きいAr混合ガスまたは酸素ガスのRFスパッタリングによって形成し、その上にa-Siからなる動作半導体層5、SiN等からなるチャネル保護層6を形成し、その上にソース用とドレイン用のオーミックコンタクト層71 ,72 を対向して形成し、その上にソース用とドレイン用の電極81 ,82 を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に形成された下地電極の上に、下地電極酸化防止用の第1のペロブスカイト系酸化膜を酸素分圧の極めて小さいAr混合ガスまたは100%ArガスのRFスパッタリングによって形成し、引き続いて、大きな絶縁抵抗を有する良質の第2のペロブスカイト系酸化膜を酸素分圧の極めて大きいAr混合ガスまたは100%酸素ガスの反応性RFスパッタリングによって形成し、該第1のペロブスカイト系酸化膜と該第2のペロブスカイト系酸化膜を合わせた厚さを目的の膜厚とすることを特徴とするペロブスカイト系酸化膜の形成方法。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/314
