特許

J-GLOBAL ID：200903037302578423

半導体装置の製造方法及び半導体装置

発明者： 根津 秀明 ,  田口 敏
出願人/特許権者： 住友化学工業株式会社
代理人 (1件)： 久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-016651
公開番号（公開出願番号）：特開平9-213791
出願日： 1996年02月01日
公開日（公表日）： 1997年08月15日
要約：

【要約】【課題】 基板の上に形成された配線層及び絶縁膜層を有する半導体装置の製造方法であって、絶縁膜の表面を平滑その他の所望の形状に加工することができ、かつ加工に伴う不純物成分の混入を伴わない半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板の上に形成された配線層及び絶縁膜層を有する半導体装置の製造方法であって、下記工程を含む半導体装置の製造方法。配線・塗布工程:基板上又は絶縁膜上に配線を施し、絶縁膜を塗布する工程表面処理工程:絶縁膜の流動状態下、該絶縁膜の表面を他の基材で加圧することにより、絶縁膜の表面を所望の形状に加工する工程

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された配線層及び絶縁膜層を有する半導体装置の製造方法であって、下記工程を含む半導体装置の製造方法。配線・塗布工程:基板上又は絶縁膜上に配線を施し、絶縁膜を塗布する工程表面処理工程:絶縁膜の流動状態下、該絶縁膜の表面を他の基材で加圧することにより、絶縁膜の表面を所望の形状に加工する工程

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

H01L 21/90 R ,  H01L 21/312 B ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95