特許
J-GLOBAL ID：200903037304142762
超大規模集積装置の相互接続レベルを形成する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平2-410116
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013375
出願日： 1990年12月13日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 超大型レベルの集積回路装置の相互接続レベルを形成する方法。【構成】 銅のような金属の相互接続チャネルへの選択的無電解付着を用いる平らな相互接続を開示する。集積回路ウエハーのような基板の表面に第1の誘電体層を付着する。その後で、第1の誘電体層の上に第2の誘電体層を付着する。次に、第2の誘電体層の上面にフォトレジスト層を付着する。複合誘電体層にパターン化およびエッチングによりチャネルを形成する。相互接続チャネルの底にシリコン原子を注入してから、金属層を第1の誘電体層内のチャネルに選択的に無電解付着してチャネルを埋め、相互接続レベルを形成する。この工程を繰り返して次の相互接続レベルを形成する。
請求項（抜粋）：
超大規模集積(VLSI)のウエハーの表面に、平らな上面を有する、第1の誘電体層を付着する工程と、マスク層として機能する第2の誘電体層を前記第1の誘電体層の上に付着する工程と、前記マスク層をパターン化する工程と、前記第1の誘電体層と前記第2の誘電体層をエッチングして、前記第1の誘電層内に少なくとも1つの相互接続チャネルを生ずる工程と、前記第1の層の相互接続チャネルの露出した底の表面にイオンを注入する工程と、前記マスク層を除去する工程と、前記相互接続チャネル内に金属を選択的に付着して、前記第1の誘電体層の前記平らな表面のレベルまで前記チャネルを充して、金属相互接続線を形成する工程と、を備える超大規模集積回路の相互接続レベルを形成する方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/90
