特許

J-GLOBAL ID：200903037306270008

薄膜絶縁膜の形成方法

発明者： 小山 晋
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-282317
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110807
出願日： 1999年10月04日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】 ゲート絶縁膜に用いる膜厚及び組成精度高く且つTDDB特性及びTZDB特性に優れた極薄の酸窒化膜を形成できるようにする。【解決手段】 素子分離膜12の形成されたシリコン基板を急速加熱(RTP)炉に装着し、酸化・窒化雰囲気中にて500〜800°Cに加熱してシリコン基板11上に酸窒化膜13を形成する(c)。その後、基板を抵抗加熱炉に装着して800〜1000°Cの温度に加熱してウェット酸化法又はドライ酸化法にてシリコン酸化膜14を形成する(d)。

請求項（抜粋）：

(1)急速加熱炉内において酸化・窒化性雰囲気中にてシリコン基板の表面に酸窒化膜を形成する第1の工程と、(2)抵抗加熱炉内において酸化性または酸化・窒化性雰囲気中にてシリコン基板の表面にシリコン酸化膜またはシリコン酸窒化膜を形成する第2の工程と、を有することを特徴とする薄膜絶縁膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (21件)：

5F040DC01 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040EK01 ,  5F040EK05 ,  5F040FC00 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD15 ,  5F058BE10 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF55 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BF68 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ10