特許

J-GLOBAL ID：200903037311680478

窒化ガリウム系半導体の製造方法

発明者： 長谷川 義晃 ,  石橋 明彦 ,  上村 信行 ,  原 義博 ,  粂 雅博 ,  伴 雄三郎
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310333
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150245
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 低転位密度,低歪の高品質GaN結晶の成長方法を提供する。【解決手段】 サファイア基板60上でAlxGa1-xNバッファ層63を成長することにより、サファイア基板60とGaN層62の熱膨張係数差による歪を緩和することができるため、従来よりも転位密度を約1/100(107cm-2)、歪を約1/50(8×107dyn/cm2)に低減した高品質GaN系発光素子を製造することができる。特にバッファ層63の組成をx=0.12、膜厚を2μm以上とした場合には、最大限の歪低減と転位同士の相互消滅作用も生じるため、この効果が顕著に現れる。また、クラックの発生も抑制され製造歩留りの向上に大きく寄与する。これにより、電気的,光学的特性に優れた高品質GaN系発光素子がサファイア基板で製造することが可能になる。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上への窒化ガリウム(GaN)系半導体の結晶成長方法であって、AlxGa1-xNバッファ層のAl組成xを0.10≦x≦0.14として成長する工程を有するGaN系半導体の製造方法。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C