特許

J-GLOBAL ID：200903037313410400

気相エピタキシャル成長法

発明者： 目黒 健
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-045687
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246188
出願日： 1996年03月04日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 サセプタ上で熱分解させてメチル基を発生させていたため、エタンの分解効率が悪く、十分に高い濃度まで炭素ドーピング濃度を増加・制御することができない。【解決手段】 反応炉内1に設置したGaAs基板2を加熱しながらIII 族原料ガス兼炭素ドーパントとしてのトリメチルガリウム(TMG)及びV族原料ガスを反応炉1へ供給し、GaAs基板2上に高濃度のp型GaAs層をエピタキシャル成長させ、前記炭素のドーピング濃度を反応炉1へ供給するメチル基の量によって制御する気相エピタキシャル成長法にあって、エタン導入口11から導入したエタンをクラッキングセル12によって分解し、これを導入管10を介して反応炉1へ供給し、前記メチル基として用いる。

請求項（抜粋）：

反応炉内に設置した結晶成長用基板を加熱しながらIII 族原料ガスとしての有機金属ガス及びV族原料ガスを前記反応炉へ供給し、前記結晶成長用基板上に炭素がドープされたp型化合物半導体層をエピタキシャル成長させる気相エピタキシャル成長法において、エタンを分解して生成したメチル基を前記反応炉へ供給し、前記メチル基の量によって前記炭素のドーピング濃度を制御することを特徴とする気相エピタキシャル成長法。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 ,  C30B 31/16

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 29/40 502 A ,  C30B 31/16