半導体デバイスおよびその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-184457
公開番号（公開出願番号）：特開2009-021495
出願日： 2007年07月13日
公開日（公表日）： 2009年01月29日
要約：

【課題】多層配線構造を有する半導体デバイスにおいて、樹脂層の平坦性を容易に確保できるようにする。【解決手段】集積回路を有する半導体基板11と、半導体基板11上に設けられた第1樹脂層12と、第1樹脂層12上に設けられた第1配線層13と、第1配線層13の一部を露呈する開口部15を有し第1樹脂層12及び第1配線層13を覆う第2樹脂層14と、第2樹脂層14上に設けられ開口部15を通じて第1配線層13と導通する第2配線層16とを少なくとも備える半導体デバイスにおいて、第1配線層13の近傍を除く半導体基板11の全域にわたり、第1配線層13と略同一の高さを有する構造体18を配する。【選択図】図6

請求項（抜粋）：

集積回路を有する半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた第1樹脂層と、前記第1樹脂層上に設けられた第1配線層と、前記第1配線層の一部を露呈する開口部を有し前記第1樹脂層及び第1配線層を覆う第2樹脂層と、前記第2樹脂層上に設けられ前記開口部を通じて前記第1配線層と導通する第2配線層とを少なくとも備え、前記第1配線層の近傍を除く前記半導体基板の全域にわたり、前記第1配線層と略同一の高さを有する構造体が配されていることを特徴とする半導体デバイス。

IPC (5件)：

H01L 21/320 , H01L 23/52 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 21/82

FI (4件)：

H01L21/88 S , H01L27/04 A , H01L27/04 L , H01L21/82 D

Fターム (27件)：

5F033HH11 , 5F033JJ01 , 5F033KK11 , 5F033PP26 , 5F033QQ37 , 5F033SS21 , 5F033UU03 , 5F033VV02 , 5F033VV03 , 5F033VV08 , 5F033WW01 , 5F033XX01 , 5F038AZ04 , 5F038BH10 , 5F038BH19 , 5F038CA05 , 5F038CA06 , 5F038CA18 , 5F038CD10 , 5F038DF02 , 5F038EZ20 , 5F064CC23 , 5F064DD15 , 5F064DD24 , 5F064EE09 , 5F064EE22 , 5F064EE32

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置およびその製造方法ならびに電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-153146 出願人：株式会社フジクラ
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-136796 出願人：株式会社フジクラ

審査官引用 (9件)

特開平1-196141
相互誘導回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-139145 出願人：松下電器産業株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-369658 出願人：三菱電機株式会社

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