特許

J-GLOBAL ID：200903037317820549

超伝導フィルム用ピニング構造およびその作成方法

発明者： クルテンス・エリック ,  マンハルト・ヨーヒェン
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
代理人 (1件)： 頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-340826
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267726
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 ピニング・サイトが所定数で所定の場所に分布している超伝導デバイスを設計するため、高Tc超伝導体用の新規なピニング構造、ならびにそのピニング構造を作成する方法を提供すること。【構成】 高Tc超伝導体用のピニング構造は、基板と、ナノメートル級の寸法で、ナノメータ範囲の相互間隔で上記基板の表面上に付着された複数の突起3と、上記基板上に付着され、上記突起を超伝導マトリックス中に埋め込んでいる超伝導フィルム4とを備える。突起は、金属または半導体または絶縁体から構成される。

請求項（抜粋）：

所定数の包含物および関連するピニング・センタが超伝導材料の格子内の所定の場所に設けられている超伝導体のピニング構造であって、結晶質基板が結晶面を有し、上記結晶面が所定の場所に非超伝導材料からなる複数の突起を有し、上記突起が、ナノメートル級の寸法で、縦軸があればそれが上記結晶面に対して垂直の方向に向き、上記の突起を有する基板上に超伝導材料のフィルムが付着され、上記の複数の突起が上記基板表面上に形成された超伝導フィルムのマトリックス中に埋め込まれている、上記ピニング構造。

IPC (6件)：

H01L 39/02 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 3/00 ZAA ,  H01B 12/00 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-237179
  
• 特開平3-141512
  
• 特開平2-234479