特許

J-GLOBAL ID：200903037324602433

配線基板

発明者： 中原 光一 ,  塚本 弘志
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-204188
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200644
出願日： 2003年07月30日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：

【課題】配線層の表面に、直径が100μm乃至500μmのアルミニウム製ボンディングワイヤを強固に被着させることができない。【解決手段】電気絶縁材料から成る基板1と、Au、Ag、Cu、Pd、Ptの少なくとも1種より成り、前記基板1に同時焼成により形成され、かつ直径が100μm乃至500μmのアルミニューム製ボンディングワイヤが接合される領域を有する配線層2と、前記配線層2の少なくともボンディングワイヤが接合される領域に被着され、内部応力が98N/mm2以下のNi層6と、厚さが0.03μm乃至0.3μmのPd層7と、厚さが0.05μm乃至0.3μmのAu層8とから成る被覆層とで形成された配線基板。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電気絶縁材料から成る基板と、Au、Ag、Cu、Pd、Ptの少なくとも1種より成り、前記基板に同時焼成により形成され、かつ直径が100μm以上のボンディングワイヤが接合される領域を有する配線層と、前記配線層の少なくともボンディングワイヤが接合される領域に被着され、内部応力が98N/mm2以下のNi層と、厚さが0.03μm乃至0.3μmのPd層と、厚さが0.05μm乃至0.3μmのAu層とから成る被覆層とで形成された配線基板。

IPC (2件)：

H01L23/12 ,  H01L21/60

FI (2件)：

H01L23/12 W ,  H01L21/60 301A

Fターム (1件)：

5F044AA03