特許

J-GLOBAL ID：200903037327903043

ドライエッチング方法及び装置

発明者： 飯塚 勝彦 ,  山口 正史
出願人/特許権者： 富士通株式会社 ,  富士通ヴィエルエスアイ株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-217301
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074149
出願日： 1993年09月01日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】分布改善用部材を用いたドライエッチング技術で、被エッチング物の面内分布を改善し、かつ、パーティクルの少ない装置と方法を提供し、半導体装置の歩留りを向上させ、生産性を向上させることを目的とする。【構成】被エッチング物2の上または周辺部に、被エッチング物2より小さな内径の穴を持つ被エッチング物2より大きな平板や、被エッチング物2よりも小さな内径と大きな内径をもち、接続部の角にまるみをもつ形状にした、筒状形状または平板と筒を組み合わせた部材3を用い、小さな内径のほうをガス導入側に配置した装置を用いてエッチングする。

請求項（抜粋）：

エッチングされる基板(2) の外形より大きな外形を有し、かつ、該基板(2) の外形よりも小さな開口を有し、前記基板(2) 面へ投影した投影面が前記基板(2) の周縁部を覆うことができる大きさを有する平板状部材(3) を、前記基板(2) の上部に配置した状態で、エッチングを行うための反応ガスを前記開口を介して前記基板(2) へ導入することを特徴とするドライ・エッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00