特許

J-GLOBAL ID：200903037329095220

半導体集積装置

発明者： 小林 由美香
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206722
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047943
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：

【要約】【目的】アナログ・デジタル混在型半導体集積装置において、アナログ部でのノイズ防止。【構成】高周波のデジタル信号線とノイズの影響を受けやすいアナログ信号線がレイアウト上交差する部分で、デジタル信号線とアナログ信号線の間にシールド線を配置する、アナログ信号線の上下層にシールド線を配置する、アナログ信号線の上下層及び側面にシールド線を配置することにより防ぐ。ノイズに影響を受けやすいアナログ信号線と高周波のデジタル信号線の間の配線層に定まった電位を与えた信号線を配置する。

請求項（抜粋）：

配線層を複数有する半導体集積装置において、第1の配線層と第2の配線層を有し、前記第1の配線層と前記第2の配線層の交差部分で、前記第1の配線層と前記第2の配線層の間に第3の配線層を配置し、前記第3の配線層は、前記第1の配線層と前記第2の配線層の交差領域部以上の面積を有し、前記第3の配線層には定まった電位を与えることを特徴とする半導体集積装置。

IPC (2件)：

H01L 21/90 ,  H01L 27/04