特許
J-GLOBAL ID：200903037341224167
窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-320804
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181077
出願日： 1994年12月22日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：
【要約】【目的】 GaAs基板上に形成する窒化物系III-V族化合物半導体の結晶性および表面モフォロジーを改善し、窒化ガリウム系化合物を安定に成長する。【構成】 GaAs基板11上に、350°C以上530°C以下の温度で、1nm以上50nm以下の膜厚で第1のGaN層12aを形成し、続いて、530°Cから900°Cの温度を連続またはステップ上に変えて第1のGaN層12bを形成する。
請求項（抜粋）：
GaAs基板上にハイドライド気相成長法を用いて窒化物系III-V族化合物半導体結晶を成長させる窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法において、前記GaAs基板上に第1の窒化物系III-V族化合物半導体結晶であるGaN単結晶を350°C以上、530°C以下の成長温度で、1nmから50nmの膜厚で形成した後、前記第1の窒化物系III-V族化合物半導体結晶上に第2の窒化物系III-V族化合物半導体結晶を成長させることを特徴とする窒化物系III-V族化合物半導体結晶の成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
