特許
J-GLOBAL ID：200903037342949114
ウェーハからダイを解体し分割する方法および装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-343743
公開番号（公開出願番号）：特開平8-236485
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1996年09月13日
要約：
【要約】【課題】 損傷しやすい腐食加工済みの半導体デバイスのウェーハをデバイスに分割する。【解決手段】 アンビル100がウェーハ300を付けたフレキシブルな薄膜を圧する。アンビル100に用いた真空が、ウェーハ300をアンビル100の表面に密着させる。アンビル100に接するフレキシブルな薄膜が変形するにつれて、ウェーハ300は解体して個別デバイスになる。ウェーハ300の解体で生ずるさいの目切りの破片は、基部固定装置408へ落ちるので破片がデバイスに接触して損傷することはない。
請求項（抜粋）：
一個のウェーハを複数のウェーハ部分に分割する方法であって、フレキシブルな薄膜上にウェーハを装着すること、このウェーハをアンビルで変形させてこのウェーハを複数のウェーハ部分に分割すること、この薄膜を引っ張ってこれらのウェーハ部分を空間的に分割することを含んでなる方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B26F 3/02
, B28D 5/00
H01L 21/78 X
, B26F 3/02
, B28D 5/00 Z
