特許

J-GLOBAL ID：200903037362370171

電磁作用によるトランジスタ

発明者： 岩田 佳久
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 堀口 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-127124
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277857
出願日： 2008年05月14日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：

【課題】微細化に伴うパンチスルー耐性の低下を抑制しつつ高いON電流/OFF電流比を有する電磁作用によるトランジスタを実現する。【解決手段】本発明の電磁作用によるトランジスタは、磁化方向が第1の方向に固定された強磁性金属からなるゲート81と、第1の方向と垂直な第2の方向に非磁性膜82を挟んでゲート81に対向して設けられ、非磁性膜82を介してゲート81との間に流れる電流によって第1の方向と平行に磁化方向が反転可能な強磁性金属からなるチャネル83と、チャネル83の反転可能な磁化方向の一方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第1の方向に固定された強磁性金属からなるソース84と、チャネル83の反転可能な磁化方向の他方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第1の方向と逆方向に固定された強磁性金属からなるドレイン85を有する。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

磁化方向が第1の方向に固定された強磁性金属からなるゲートと、 前記第1の方向と垂直な第2の方向に非磁性膜を挟んで前記ゲートに対向して設けられ、前記非磁性膜を介して前記ゲートとの間に流れる電流によって前記第1の方向と平行に磁化方向が反転可能な強磁性金属からなるチャネルと、 前記チャネルの前記反転可能な磁化方向の一方に間隙を挟んで前記チャネルと対向して設けられ、磁化方向が前記第1の方向に固定された強磁性金属からなるソースと、 前記チャネルの前記反転可能な磁化方向の他方に間隙を挟んで前記チャネルと対向して設けられ、磁化方向が前記第1の方向と逆方向に固定された強磁性金属からなるドレインを有することを特徴とする電磁作用によるトランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 29/82

FI (3件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  H01L29/82 Z

Fターム (23件)：

4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD10 ,  4M119FF05 ,  4M119FF13 ,  4M119FF14 ,  4M119FF19 ,  5F092AA06 ,  5F092AB06 ,  5F092AB10 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AC24 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB31 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB55 ,  5F092BC46 ,  5F092EA06