特許

J-GLOBAL ID：200903037363147220

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  渡邊 修 ,  武田 隆信
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (1件)： 小島 隆司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-341513
公開番号（公開出願番号）：特開2003-140350
出願日： 2001年11月07日
公開日（公表日）： 2003年05月14日
要約：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される末端構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、有橋環式のアルキレン基及び炭素数6〜10のアリーレン基から選ばれる基であり、R2は酸不安定基である。)【効果】 本発明の高分子化合物を用いたレジスト材料は、露光前後のアルカリ溶解速度コントラストが大幅に高く、高感度で高解像性を有し、その上特に優れたエッチング耐性を示し、特に超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適な化学増幅型レジスト材料等のレジスト材料を与えることが可能である。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で示される末端構造を有する高分子化合物。【化1】(式中、R1は単結合、又は炭素数1〜10の直鎖状、分岐状、環状のアルキレン基、有橋環式のアルキレン基及び炭素数6〜10のアリーレン基から選ばれる基であり、R2は酸不安定基である。)

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  C08F 8/00 ,  C08F 12/22 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (38件)：

2H025AA03 ,  2H025AA09 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB17 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CC03 ,  2H025CC20 ,  2H025FA01 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AB07P ,  4J100BA02H ,  4J100BA03H ,  4J100BA06H ,  4J100BA15H ,  4J100BA20H ,  4J100BA22H ,  4J100BA76P ,  4J100BC03H ,  4J100BC08H ,  4J100BC43H ,  4J100CA01 ,  4J100CA04 ,  4J100DA39 ,  4J100FA02 ,  4J100FA03 ,  4J100FA08 ,  4J100HA08 ,  4J100HC08 ,  4J100JA38

引用特許：

審査官引用 (1件)

• ポリスチレン系高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料並びにパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-299178   出願人：信越化学工業株式会社