特許
J-GLOBAL ID：200903037364430678
磁気ランダムアクセスメモリ回路
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142361
公開番号（公開出願番号）：特開2001-325791
出願日： 2000年05月15日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗素子に印加する電圧を低く保ち、トンネル型磁気抵抗素子を記憶素子に用いたときの、バイアス効果、トンネルバリアの破壊を防ぎ、高精度かつ高速な読み出しを可能にする。【解決手段】 接続されているすべてのセンス線121〜124と選択されていない全てのワード線133、136の電位が等しく保たれ、かつ選択されているワード線134が接地され、あらかじめ高電圧に充電されたコンデンサ114がセンス線122に電圧降下素子としてのMOSトランジスタ118を介して接続され、コンデンサ114が充電電荷をMOSトランジスタ118、センス線122、磁気抵抗素子142およびワード線134を介して放電可能にこれらに接続されている。
請求項（抜粋）：
互いに交差する複数のセンス線と複数のワード線を持ち、センス線とワード線の各交点に磁気抵抗素子が2次元アレイ状にならべられた磁気ランダムアクセスメモリ回路において、接続されているすべてのセンス線と選択されていない全てのワード線の電位が等しく保たれ、かつ選択されているワード線が接地され、あらかじめ高電圧に充電されたコンデンサがセンス線に電圧降下素子を介して接続され、前記コンデンサが充電電荷を電圧降下素子、センス線、磁気抵抗素子およびワード線を介して放電可能にこれらに接続されていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ回路。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 43/08
G11C 11/15
, G11C 11/14 Z
, H01L 43/08 Z
, H01L 43/08 A
