特許

J-GLOBAL ID：200903037370157002

面発光型半導体レーザ装置及びその製作方法

発明者： 内山 誠治
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  技術研究組合新情報処理開発機構
代理人 (1件)： 稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-199859
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027941
出願日： 1996年07月10日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：

【要約】【課題】 オーミック接触抵抗が低い電極を備え、発振しきい値電流が小さく、横モードが安定している面発光型半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 本半導体レーザは、n-InP基板21上に形成されたn-InPからなる第1クラッド層23、GaInAsPからなる活性層24及びp-InPからなる第2クラッド層27の2重ヘテロ結合の埋め込み構造を有する。電極領域では、キャップ層が、p-GaInAsPからなる第1キャップ層11と、第1キャップ層上に形成され、第1キャップ層よりバンドギャップが狭く、不純物濃度が高いp-GaInAsPからなる第2キャップ層12との2層構造で構成され、更に第2キャップ層上に金属電極13が形成されている。共振器領域では、キャップ層が第1キャップ層のみで構成され、更に第1キャップ層上に、順次、透明電極14及び誘電体多層膜反射鏡15が、一部金属電極13に重なり、電気的に接続しているように形成されている。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されたレーザ光発振構造上に、反射鏡領域と、反射鏡領域に隣接して電極領域とを備えた面発光型半導体レーザ装置であって、電極領域には、基板の導電型と異なる導電型の化合物半導体層からなる第1キャップ層と、第1キャップ層上に設けられ、第1キャップ層よりバンドギャップが小さく、不純物濃度が高く、かつ同じ導電型の化合物半導体層からなる第2キャップ層との2層構造で構成されたキャップ層及び金属電極が、順次、積層して形成されており、反射鏡領域には、第1キャップ層、透明電極及び誘電体多層膜反射鏡が、順次、積層して形成され、透明電極は、電極領域の金属電極に一部重なって電気的に接続していることを特徴とする面発光型半導体レーザ装置。