特許
J-GLOBAL ID：200903037373826282
半導体チップ切出し方法および半導体チップ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊藤 英彦
, 森下 八郎
, 吉田 博由
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-290229
公開番号（公開出願番号）：特開2007-103595
出願日： 2005年10月03日
公開日（公表日）： 2007年04月19日
要約：
【課題】任意の形状の半導体チップをウェハから切出すときに、各チップがバラけないようにし、しかも切屑の発生を少なくし、半導体チップに衝撃を与えることがない半導体チップ切出し方法および半導体チップを提供する。【解決手段】シリコン基板4上に構造体材料6を形成し、シリコン基板4の構造体材料6側に保持膜8を形成し、シリコン基板4の他方面側から一方面側の構造体材料6に至る貫通穴5と、構造体材料6の周囲を囲むスクライブ領域3とを同時にエッチングして半導体チップ2を切出す。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体チップを半導体ウェハから切り出す半導体チップ切出し方法であって、
前記半導体ウェハの半導体基板の一方面上に構造体を形成する工程と、
前記半導体基板の構造体側に、該構造体の表面に前記半導体チップを保持する保持膜を形成する工程と、
前記半導体基板の他方面側から前記構造体の周囲を囲む切出しラインをエッチングして前記半導体チップを切出す工程とを備える、半導体チップ切出し方法。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L21/78 S
, H01L21/78 Q
, H01L21/78 M
, B81C1/00
出願人引用 (2件)
審査官引用 (18件)
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