特許
J-GLOBAL ID：200903037374529567
膜形成基体の表面清浄化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-041368
出願日： 1991年08月06日
公開日（公表日）： 1993年02月19日
要約：
【要約】【目的】 基体の膜形成面を基体に悪影響をおよぼすことなく清浄化できる膜形成基体の表面清浄化方法を提供する。【構成】 基体2に膜を被覆するに当たり、当該基体2の膜被覆面にハロゲン元素単体あるいはハロゲン元素よりなる化合物のガスをプラズマ化させて照射すると同時に、該プラズマ中へ水素あるいは水素化合物よりなるガスを導入し、前記ハロゲン元素単体あるいはハロゲン元素よりなる化合物のガスと水素あるいは水素化合物のガスのプラズマ中での混合量を制御しながら、当該基体2を清浄化させる膜形成基体の表面清浄化方法。
請求項（抜粋）：
基体に膜を被覆するに当たり、当該基体の膜被覆面にハロゲン元素単体あるいはハロゲン元素よりなる化合物のガスをプラズマ化させて照射すると同時に、該プラズマ中へ水素あるいは水素化合物よりなるガスを導入し、前記ハロゲン元素単体あるいはハロゲン元素よりなる化合物のガスと水素あるいは水素化合物のガスのプラズマ中での混合量を制御しながら、当該基体を清浄化させることを特徴とする膜形成基体の表面清浄化方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/302
