特許
J-GLOBAL ID：200903037376237105
半導体基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194163
公開番号（公開出願番号）：特開平11-040786
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1999年02月12日
要約：
【要約】【課題】 ベース基板上に単結晶半導体層を設けたものにあって、十分なコストダウンを図る。【解決手段】 高品質の単結晶シリコン基板からなる貼合せ基板25に対する水素ガスのイオン注入により、所定深さ位置に、表面に単結晶薄膜層25aを確保した状態で剥離用の欠陥層26を形成する。次に、貼合せ基板25よりも品質の劣る単結晶シリコン基板からなるベース基板22に対して、絶縁膜23を介して貼合せ基板25を貼合わせ、引続き欠陥層26にて剥離する。この後、高温アニール及び剥離面の表面研磨を行う。これにて、ベース基板22上に絶縁膜23を介して単結晶半導体層24を有した半導体基板21が得られる。剥離工程を経た貼合せ基板25を、表面の平坦化しながら繰返して使用し、所定厚み以下まで薄くなったときには、同材質の新たな単結晶シリコン基板を貼合わせて新たな貼合せ基板25とする。
請求項（抜粋）：
ベース基板(22)上に、絶縁膜(23)を介して素子形成用の単結晶半導体層(24)を貼合わせにより設けてなるものであって、前記ベース基板(22)は、前記単結晶半導体層(24)よりも品質の劣る材料からなることを特徴とする半導体基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/12 B
, H01L 21/265 Q
