特許
J-GLOBAL ID：200903037379892490
シリコンウエーハの表面の結合状態及び不純物の評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-205720
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029423
出願日： 1991年07月23日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 研磨したシリコンウェーハをそのまま使用して表面に吸着した軽元素、即ち、水・炭化水素・アミン類等の化学的不純物、自然酸化膜、表面結合状態、及び表面の原子レベルでの平滑さを、真空を必要とする事なく、大気中で簡便に評価・分析できる方法を提供する事を目的とする。【構成】 シリコンの屈折率より大なる屈折率を有する内部反射エレメントを直接シリコンウェーハの被測定面に密着させた後、少なくとも前記被測定面上に存在する化合物が吸収可能な波長域を有する光源を選択し、該光源を臨界角より大なる入射角をもって前記エレメントに入射させ、多重反射法により前記被測定面上の表面の化学結合状態を評価する事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
シリコンの屈折率より大なる屈折率を有する内部反射エレメントを直接シリコンウェーハの被測定面に密着させた後、少なくとも前記被測定面上に存在する化合物が吸収可能な波長域を有する光源を選択し、該光源を臨界角より大なる入射角をもって前記エレメントに入射させ、多重内部反射法により前記被測定面上の不純物又は不純物原子を含む表面の化学結合状態を評価する事を特徴とするシリコンウェーハの表面の結合状態及び不純物の評価方法
引用特許：
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