特許
J-GLOBAL ID：200903037380545167
磁電変換素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-106983
公開番号（公開出願番号）：特開平6-318748
出願日： 1993年05月07日
公開日（公表日）： 1994年11月15日
要約：
【要約】【構成】 フェライト基板などの磁性体基板上に半導体から成る磁電変換用素子パターンを形成し、磁性体基板の周縁部分に磁電変換用素子パターンに接続された電極膜を形成し、この電極膜形成部分を被い且つ磁性体基板の端面にかけて端子電極6を形成する。【効果】 リードフレームを用いることなく、素子の端子電極を用いてプリント基板上に表面実装可能な磁電変換素子が得られる。
請求項（抜粋）：
磁性体基板上に半導体からなる磁電変換用素子パターンを形成して成る磁電変換素子において、磁性体基板の周縁付近に磁電変換用素子パターンに接続された電極膜が形成され、この電極膜形成部分を覆い且つ磁性体基板の端面にかけて端子電極が形成されたことを特徴とする磁電変換素子。
IPC (5件)：
H01L 43/06
, G01R 33/06
, H01L 43/08
, H01L 43/12
, H01L 43/14
