特許
J-GLOBAL ID：200903037381468620

ポリシリコン浮遊ゲートにPN接合を形成した不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法

発明者：
フレイドーン メーラッド

フレイドーン メーラッド について


出願人/特許権者：
テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド

テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド について


代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-250648
公開番号（公開出願番号）：特開平9-191057
出願日： 1996年09月20日
公開日（公表日）： 1997年07月22日
要約：
【要約】【課題】 浮遊ゲート型の不揮発性メモリ・セル及びそのメモリ・セルを製造する方法を提供する。【解決手段】 ソース側(13B)上に軽くドーピングされたホウ素と、ドレイン側(13A)+チャネル領域(Ch)上に高度にドーピングされたヒ素又はリンとを有するP-N接合多結晶シリコン浮遊ゲート(13)により、ソース(11)とドレイン(12)とを有するメモリ・セル(10)のアレーを形成する。多結晶浮遊ゲート(13)におけるP-N接合(JU)を使用することにより、メモリ・セル(10)がデプリーションへ移行するのを阻止し、稠密な分布の消去しきい電圧VT を発生させることにより過消去特性を得ると共に、前記ゲート酸化物(30)を介する電子の移動が少ないので、デバイス寿命を改善する。
請求項（抜粋）：
浮遊ゲート及び前記浮遊ゲートの下、かつ該浮遊ゲートから絶縁されているチャネル領域を有する型式のメモリ・セルであって、前記浮遊ゲートが前記チャネル領域の導電性を制御するように荷電可能な前記メモリ・セルにおいて、一次的に第1導電型を有するようにドーピングされた第1のポリシリコン領域と、一次的に第2導電型を有するようにドーピングされた第2のポリシリコン領域と、前記浮遊ゲートにおける前記第1のポリシリコン領域及び第2のポリシリコン領域の交点におけるP-N接合とを含むメモリ・セル。
IPC (4件)：
H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115
FI (2件)：
H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434
引用特許：
審査官引用 (16件)
  • 特開昭58-118094
  • 特開昭58-118094
  • 特開昭58-123774
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