表面波装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮▼崎▲ 主税 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298000
公開番号（公開出願番号）：特開平7-154192
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】温度特性Tcが小さく、かつ電気機械結合係数Ksの大きな圧電基板を用いたラブ波を利用した表面波装置を得る。【構成】 36°回転Y板LiTaO3 基板上に、該LiTaO3 基板よりも表面波伝搬速度が遅い材料よりなる薄膜を形成し、該薄膜の膜厚をH、ラブ波の波長λとしたときに、該薄膜の相対的な膜厚H/λが0.01〜0.13の範囲とされているラブ波を利用した表面波装置。

請求項（抜粋）：

36°回転Y板LiTaO3 基板と、前記LiTaO3 基板上に形成されており、かつ前記LiTaO3 基板に比べて表面波伝搬速度が遅い材料よりなる薄膜とを有する圧電基板を用いて構成されたラブ波を利用する表面波装置であって、前記薄膜の膜厚をH、励振されるラブ波の波長λとしたときに、H/λが0.01〜0.13の範囲とされていることを特徴とする、表面波装置。

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭63-260213
特開昭59-156013
特開平4-258011

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審査官引用 (12件)

特開平4-258011
特開平4-258011
特開昭63-260213

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