半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鵜沼辰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-063592
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267299
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体装置に関し、低抵抗でかつ高信頼性の電極配線を提供することにある。【構成】銅配線1表面上に、耐酸化性あるいは耐食性に優れた銅の化合物(Cu-Ni、Cu-N)を、銅の電気的特性あるいは熱的特性を損なわない量形成したもの。

請求項（抜粋）：

半導体チップ内の回路配線および/または電極の材料が銅又は銅合金である半導体装置において、銅より相対酸化量が50%以下の高い耐食性を有する銅の化合物がその表面に被設されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 29/46

引用特許：

審査官引用 (3件)

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