特許
J-GLOBAL ID：200903037394148209
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-184834
公開番号（公開出願番号）：特開平6-029378
出願日： 1992年07月13日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【構成】シリコン基板1上にフィールド酸化膜2を形成したのち、熱酸化膜3を形成してから、ポリシリコン5およびCVD酸化膜5を順次堆積する。つぎにレジスト6をマスクとしてCVD酸化膜5、ポリシリコン4および熱酸化膜3を順次エッチングする。つぎにレジスト6を除去したのちCVD酸化膜5をマスクとしてシリコン基板1表面をエッチングして溝8を形成する。つぎにBPSG膜9を堆積して、平坦化してからエッチバックする。つぎにポリシリコン4をエッチングして、BPSG膜9からなる溝分離領域9aを形成する。【効果】高解像度レジストの耐熱性の弱さのために生じる溝配列端部の断面形状の順テーパーを、素子間分離領域上に追加スリットを設けることにより、素子間分離領域に移行させる。その結果、活性領域の溝配列端部の断面形状を正常にもどすことができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の一主面上に複数の溝を形成するとき、同時に前記複数の溝に隣接する素子間分離領域上に溝を追加して形成する工程を含む半導体装置の製造方法。
引用特許：
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