特許
J-GLOBAL ID：200903037396520881
炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶インゴット及び炭化珪素単結晶基板
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
成瀬 勝夫
, 中村 智廣
, 鳥野 正司
, 佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-150740
公開番号（公開出願番号）：特開2007-320790
出願日： 2006年05月30日
公開日（公表日）： 2007年12月13日
要約：
【課題】ドナー及びアクセプターとなる添加元素の濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】種結晶1上にバルク状の炭化珪素単結晶を結晶成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、ドナー元素及びアクセプター元素の添加方法として、各元素を含有するガスソースを用いるか、あるいは、窒素を含む混合ガス雰囲気中で、アクセプター元素を含む比表面積が0.1m2/g以下の固体粉末原料が混合されたSiC原料粉末2を用いることにより、インゴット全体に渡り濃度バラツキが小さく、均一性に優れた炭化珪素単結晶を成長する炭化珪素単結晶及び炭化珪素単結晶インゴットの製造方法である。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
種結晶上に炭化珪素単結晶を成長させる工程を包含する炭化珪素単結晶の製造方法であって、結晶成長雰囲気中に、ドナーとなる元素を含む不純物及びアクセプターとなる元素を含む不純物をいずれもガスソースとして導入して、炭化珪素単結晶中にドナーとアクセプターとをドーピングすることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
IPC (3件)：
C30B 29/36
, C30B 23/06
, H01L 33/00
C30B29/36 A
, C30B23/06
, H01L33/00 A
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB09
, 4G077BE08
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077EB01
, 4G077HA02
, 4G077SA01
, 5F041CA33
, 5F041CA49
, 5F041CA57
, 5F041CA67
出願人引用 (1件)
-
蛍光体および発光ダイオード
公報種別：公開公報
出願番号：特願2004-087110
出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
審査官引用 (12件)
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