特許
J-GLOBAL ID:200903037396543377

ダイナミックRAM

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮井 暎夫
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-051582
公開番号(公開出願番号):特開平5-205473
出願日: 1991年03月15日
公開日(公表日): 1993年08月13日
要約:
【要約】【目的】 大規模容量化と低消費電力化を図りつつ、その動作の安定化を図る。【構成】 センスアンプ回路SA1へ電源電圧Vccおよび接地電圧Vssを供給する共通ソース線PS1と、選択すべきメモリセルが存在するメモリアレイM-ARY1に対応した共通データ線CD1,/CD1とをメモリアレイM-ARY1の非選択期間のみならず選択期間にも結合させるスイッチQ18,Q19を設け、センスアンプ回路SA1の非選択期間に共通ソース線PS1,NS1を所定のプリチャージ電位にプリチャージさせるプリチャージ回路PCEQ1を設ける。スイッチQ18,Q19が、選択メモリアレイM-ARY1においてもオン状態になっており、センスアンプ回路SA1が活性化され、共通ソース線PS1がハーフプリチャージレベルからVccレベルに向かって電位が上昇すれば共通データ線CD1,/CD1の電位も一緒に上昇する。
請求項(抜粋):
アドレス選択用トランジスタと情報記憶用キャパシタとからなる複数のメモリセルがビット線とワード線の交差点にマトリクス配置されて構成された複数のメモリアレイと、前記ビット線を第1のプリチャージ電位にプリチャージさせる第1のプリチャージ回路と、共通データ線選択信号により前記複数のメモリアレイのビット線と共通データ線とを結合させるコラムアドレスデコード回路と、前記複数のメモリアレイのうち前記アドレスに対応して実質的に選択すべきメモリセルが存在するメモリアレイに対してのみそのワード線の選択動作を行うワード線選択回路と、このワード線選択回路により選択されたワード線の信号の増幅動作を行うセンスアンプ回路と、前記選択されたワード線に対応してセンスアンプ回路を選択する選択回路と、前記センスアンプ回路の増幅動作に必要な動作電圧として電源電圧および接地電圧をそれぞれ供給する共通ソース線と前記アドレスに対応して実質的に選択すべきメモリセルが存在するメモリアレイに対応した前記共通データ線とをその非選択期間のみならず選択期間にも結合させるスイッチと、前記センスアンプ回路の非選択期間に前記共通ソース線を第2および第3のプリチャージ電位にそれぞれプリチャージさせる第2のプリチャージ回路とを備えたダイナミックRAM。

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