特許

J-GLOBAL ID：200903037398453197

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者： 大坪 徹 ,  佐々木 一郎 ,  増田 俊夫 ,  田中 潤一 ,  加治 哲徳 ,  渡辺 克哉
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-227764
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067493
出願日： 1997年08月25日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】1)高選択エッチングと高精度、高速エッチングの両立2)膜質と高速成膜の両立3)上記プロセスを両立する基本課題はプラズマ中の電子エネルギレベルの独立制御。【解決手段】1)プラズマ中に電磁波を放射し、電磁波の電界によりプラズマ中の電子にエネルギを与え制御する。【効果】本発明により、高選択エッチングと高精度、高速エッチングあるいは膜質と成膜速度など従来技術では両立が難しい特性の両立がはかれる。これにより半導体デバイスや液晶表示素子などの処理の高性能化がはかれ、より高性能なデバイスの生産が可能になるとともに、これらのデバイスを歩留まり良く、高い生産性で生産できる効果がある。

請求項（抜粋）：

プラズマ処理室内に設けた容量結合形放電手段と、高周波電界による電磁波放射手段と、前記両手段を共に動作させて発生させたプラズマにより試料を処理する手段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

H05H 1/46 L ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 A ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B