特許
J-GLOBAL ID：200903037404938467
流動化方式を用いた炭素ナノ構造体の処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (8件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 峰 隆司
, 福原 淑弘
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-128506
公開番号（公開出願番号）：特開2005-001980
出願日： 2004年04月23日
公開日（公表日）： 2005年01月06日
要約：
【課題】炭素ナノ構造体を処理するための効率的で簡単な方法の提供。【解決手段】導入されるキャリアガスを用いて反応器内で炭素ナノ構造体を流動化させ、反応器に反応ガスを別途に導入して流動化された炭素ナノ構造体と接触させることによって炭素ナノ構造体を処理することを含む本発明の方法によれば、炭素ナノ構造体を効率的に精製でき、均一に表面処理でき、炭素ナノ構造体を含む複合体の製造のような後処理に容易に使用できる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
(A)導入されるキャリアガスを用いて反応器内で炭素ナノ構造体を流動化させる段階;および
(B)反応器に反応ガスを別途に導入して流動化された炭素ナノ構造体と接触させる段階を含む、炭素ナノ構造体の処理方法。
IPC (3件)：
C01B31/02
, C09C1/44
, D01F9/127
C01B31/02 101F
, C09C1/44
, D01F9/127
4G146AA11
, 4G146AB04
, 4G146AC02B
, 4G146AC16B
, 4G146AD37
, 4G146BA12
, 4G146BA48
, 4G146BA49
, 4G146BC03
, 4G146BC24
, 4G146BC33B
, 4G146BC44
, 4G146CB15
, 4G146CB16
, 4G146CB22
, 4G146CB23
, 4G146CB32
, 4G146CB35
, 4G146DA03
, 4G146DA23
, 4G146DA25
, 4G146DA34
, 4G146DA40
, 4G146DA44
, 4J002AA001
, 4J002CE001
, 4J002DA016
, 4J002FB076
, 4J002FB086
, 4J002FD016
, 4J037AA01
, 4J037BB21
, 4L037CS03
, 4L037FA02
, 4L037FA20
, 4L037PA09
, 4L037PA13
, 4L037PA21
