磁気抵抗効果膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：穂上照忠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-207943
公開番号（公開出願番号）：特開2000-040619
出願日： 1998年07月23日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】【課題】金属-絶縁体型のグラニュラ系磁気抵抗効果膜において、その抵抗変化率を大きく向上させた磁気抵抗効果膜、その膜を用いた素子、およびその素子による磁気ヘッドないしは磁場センサ。【解決手段】(1)強磁性金属(Fe、Co、Ni、またはこれらの合金)をT、非磁性絶縁体マトリックスの酸化物または弗化物の金属元素(Al、Si、Mg、Hf、Y、Zrまたは希土類元素)をM、その一部に置換する金属元素(Ti、V、Cr、Nb、Mo、Ta、またはWの1種以上)をQとし、グラニュラ膜に含まれる全金属元素の原子濃度組成を、T<SB>y</SB>(M<SB>1-x</SB>Q<SB>x</SB>)<SB>1-y</SB>と表示するとき、xおよびyの値が、それぞれ0.05<x≦0.5、および0.4≦y≦0.8である磁気抵抗効果膜、(2)下地膜に、上記MまたはQで示される金属を用いた磁気抵抗効果膜、(3)グラニュラ膜と強磁性膜を積層した磁気抵抗効果膜、(4)これらの膜を用いた磁気抵抗効果素子、およびこの素子を用いた磁気ヘッドおよび磁場センサ。

請求項（抜粋）：

絶縁体マトリックス中に、強磁性金属であるFe、Co、Ni、またはこれらの合金、の粒子が分散したグラニュラ系の磁気抵抗効果膜であって、絶縁体マトリックスが下記の酸化物または弗化物の中から選んだ1種または2種以上の絶縁体化合物からなり、これら絶縁体化合物の金属元素の一部が、Ti、V、Cr、Nb、Mo、Ta、またはWのうちの1種または2種以上に置換されていることを特徴とする磁気抵抗効果膜。絶縁体化合物:Al酸化物、Si酸化物、Mg酸化物、Hf酸化物、Y酸化物、Zr酸化物、希土類元素の酸化物、Al弗化物、Mg弗化物、希土類元素の弗化物。

IPC (3件)：

H01F 10/14 , G11B 5/39 , H01L 43/08

FI (3件)：

H01F 10/14 , G11B 5/39 , H01L 43/08 Z

Fターム (10件)：

5D034BA02 , 5D034CA06 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16

前のページに戻る