特許

J-GLOBAL ID：200903037414912504

薄膜半導体の製造方法

発明者： 松下 孟史
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-061551
公開番号（公開出願番号）：特開平9-255487
出願日： 1996年03月18日
公開日（公表日）： 1997年09月30日
要約：

【要約】【課題】単結晶シリコンで構成できる薄膜半導体の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10の表面を多孔質化して多孔質層20を形成する工程と、半導体基板10に通電加熱しながら多孔質層20の上にエピタキシャル半導体膜30を形成する工程と、エピタキシャル半導体膜30を半導体基板10から多孔質層20を介して剥離する工程で製造する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を多孔質化して多孔質層を形成する工程と、該半導体基板に通電加熱しながら該多孔質層の上にエピタキシャル半導体膜を形成する工程と、該エピタキシャル半導体膜を半導体基板から多孔質層を介して剥離する工程とを有することを特徴とする薄膜半導体の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04

FI (6件)：

C30B 25/18 ,  C30B 29/06 504 F ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205 ,  H01L 31/04 X