特許
J-GLOBAL ID：200903037417217718
半導体等における欠陥の検出方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新関 宏太郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-145131
公開番号（公開出願番号）：特開平10-293101
出願日： 1992年03月19日
公開日（公表日）： 1998年11月04日
要約：
【要約】【目的】 半導体等の内部欠陥の正確な検出。【構成】 半導体等からなる被検物体105に所定のレーザビーム101を入射させ、それによって生じる被検物体105からの光情報を顕微鏡109で得て、得られた光情報に基づいて被検物体105の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出する方法において、予め計算により予想された前記被検物体105における入射光の波長λに対する反射率Rの関係を示した曲線151、あるいは実測による前記被検物体105における入射光の波長λに対する反射率Rを示した曲線153のグラフ図を作成して反射率Rの極大値Aの波長λ1 と反射率Rの極小値Bの波長λ2 を夫々求め、これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、もって、前記被検物体105のごく表層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区別して検出するようにした半導体等における欠陥の検出方法。
請求項（抜粋）：
半導体等からなる被検物体105に所定のレーザビーム101を入射させ、それによって生じる被検物体105からの光情報を顕微鏡109で得て、得られた光情報に基づいて被検物体105の表面欠陥あるいは内部欠陥を検出する方法において、予め計算により予想された前記被検物体105における入射光の波長λに対する反射率Rの関係を示した曲線151、あるいは実測による前記被検物体105における入射光の波長λに対する反射率Rを示した曲線153のグラフ図を作成して反射率Rの極大値Aの波長λ1 と反射率Rの極小値Bの波長λ2 を夫々求め、これら双方の波長より夫々の光情報を得て比較し、もって、前記被検物体105のごく表層近傍の欠陥と表面の欠陥をも区別して検出するようにした半導体等における欠陥の検出方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01N 21/88 E
, H01L 21/66 N
