特許

J-GLOBAL ID：200903037423804161

パターンの形成方法

発明者： 内藤 勝之 ,  櫻井 正敏
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095026
公開番号（公開出願番号）：特開2002-298337
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】 微粒子を用いた記録媒体および記録媒体の製造を第1の目的とした、ランダムな結晶粒界や、欠陥を低減させることが可能なパターンの形成方法を提供することである。【解決手段】 粒径が1〜100nmの微粒子からなる結晶表面の凹凸パターンをレジスト表面に押しつけるか、もしくはレジスト溶液もしくは溶融液を結晶表面にキャストするか、もしくはモノマーを結晶表面にキャストした後重合させて、レジスト表面に凹凸パターンを転写する工程を有することを特徴とするパターンの形成方法。

請求項（抜粋）：

粒径が1nm以上100nm以下の微粒子からなる結晶の表面にレジストの溶液もしくは溶融液をキャストして、表面に前記凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成することを特徴とするパターンの形成方法。

IPC (2件)：

G11B 5/84 ,  G11B 7/26 531

FI (2件)：

G11B 5/84 Z ,  G11B 7/26 531

Fターム (12件)：

5D112AA02 ,  5D112AA05 ,  5D112AA18 ,  5D112BA03 ,  5D112BA09 ,  5D112BB02 ,  5D112BB07 ,  5D121AA20 ,  5D121BA03 ,  5D121BB01 ,  5D121EE21 ,  5D121GG11