投影露光装置及びそれを用いた半導体製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高梨幸雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163151
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349696
出願日： 1993年06月07日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】レチクル面上のパターンをウエハ面上に高精度に投影露光し高集積度の半導体素子を製造することができる半導体製造装置及びそれを用いた投影露光装置。【構成】レジスト塗布装置によりレジストを塗布した検査用ウエハに投影露光装置により2次元的な格子パターンより成るフォーカス計測用パターンを投影露光し、現像装置により現像処理をした検査用ウエハの複数の領域のフォーカス計測用パターンを計測して、半導体素子製造中の各プロセス工程でのフォーカス位置及びレチクル投影面の傾きを求めてフォーカスオフセット又は傾き補正量として投影露光装置に設定していること。

請求項（抜粋）：

レジスト塗布装置によりウエハ面上にレジストを塗布し、該ウエハ面上のレジストにレチクル面上のパターンを投影露光装置により投影露光し、該ウエハを現像装置により現像処理して半導体素子を製造する半導体製造装置において、該レジスト塗布装置によりレジストを塗布した検査用ウエハに該投影露光装置により2次元的な格子パターンより成るフォーカス計測用パターンを投影露光し、該現像装置により現像処理をした該検査用ウエハの複数の領域のフォーカス計測用パターンを計測して、半導体素子製造中の各プロセス工程でのフォーカス位置及び該レチクル投影面の傾きを求めてフォーカスオフセット又は傾き補正量として該投影露光装置に設定していることを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 9/00 , H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/30 301 G , H01L 21/30 311 N

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開昭63-107115
特開昭63-107115
特開平1-187817

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