特許

J-GLOBAL ID：200903037434413008

半導体基板の製造方法

発明者： 山内 庄一 ,  松井 正樹 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-139890
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335254
出願日： 1997年05月29日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：

【要約】【課題】 剥離形成するSOI基板で、パターン構造形成の処理を高温まで可能にする。簡単に厚い半導体層を得られるようにする。【解決手段】 単結晶シリコン基板15に酸素イオンを所定エネルギで加速注入し酸素偏析層16を形成する。ベースシリコン基板12を貼り合わせ、高温熱処理を行ない、酸素偏析層16に酸化物の析出,積層欠陥,転移などにより欠陥層を形成して剥離する。ベースシリコン基板12上に酸化膜13を介して単結晶シリコン膜14が形成される。単結晶シリコン膜14の下地にパターン構造を形成する場合の熱処理温度を水素イオン注入のものよりも高温にできる。単結晶シリコン基板として初期酸素濃度が高いものを用いると、高温熱処理をすることにより表層から10μm以上深い領域に酸素偏析層を形成することができ、単結晶シリコン膜を厚く形成することができる。

請求項（抜粋）：

素子形成用の半導体層(14,23,27,31,35,38)を支持基板(12,18)上に絶縁状態で設けてなる半導体基板(11,17,26,30,34,37)の製造方法において、内部に酸素偏析層(16,25,33)が設けられ前記半導体層(14,23,27,31,35,38)を形成するための半導体層用基板(15,24,32,36)に対して前記支持基板(12,18)を貼り合わせる貼り合わせ工程(P4,T3)と、前記半導体層用基板(15,24,32,36)および前記支持基板(12,18)に熱処理を行なって前記酸素偏析層(16,25,33)により形成される剥離用欠陥層部分で前記半導体層用基板(15,24,32,36)を剥離する剥離工程(P5,T4)と、この剥離工程(P5,T4)による剥離面を研磨する剥離面研磨工程(P6,T5)とを設けたことを特徴とする半導体基板の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/265 ,  H01L 27/12

FI (3件)：

H01L 21/265 Q ,  H01L 27/12 B ,  H01L 27/12 F