III-V族化合物半導体の気相成長方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184719
公開番号（公開出願番号）：特開2001-019598
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月23日
要約：

【要約】【課題】スペーサ層の如き成長時間の短い結晶層であっても、その薄膜の厚さを均一に成長させることができるIII -V族化合物半導体の気相成長方法を提供することにある。【解決手段】半導体結晶を成長させる基板1〜4をサセプタ5に保持し、そのサセプタ5を加熱及び回転し、その基板1〜4上に原料ガス及び希釈用ガスを供給してIII -V族化合物半導体結晶を成長させる気相成長方法において、一つの結晶層を2回に分けて成長させ、その成長開始時刻をサセプタ5が半回転する時間の奇数倍だけずらす。

請求項（抜粋）：

半導体結晶を成長させる基板をサセプタに保持し、そのサセプタを加熱及び回転し、その基板上に原料ガス及び希釈用ガスを供給してIII -V族化合物半導体結晶を成長させる気相成長方法において、一つの結晶層を2回に分けて成長させ、その成長開始時刻をサセプタが半回転する時間の奇数倍だけずらしたことを特徴とするIII -V族化合物半導体の気相成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/40 502 , H01L 21/205 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (3件)：

C30B 29/40 502 A , H01L 21/205 , H01L 29/80 H

Fターム (39件)：

4G077AA03 , 4G077BE41 , 4G077DB08 , 4G077EG14 , 4G077TA04 , 4G077TA06 , 4G077TH13 , 5F045AA04 , 5F045AB10 , 5F045AB17 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AC08 , 5F045AC09 , 5F045AC15 , 5F045AC16 , 5F045AD11 , 5F045AE23 , 5F045AF04 , 5F045BB03 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DP15 , 5F045DP27 , 5F045EE12 , 5F045EM02 , 5F045EM10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK05 , 5F102GK06 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM05 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

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