特許
J-GLOBAL ID：200903037439988831
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-116595
公開番号（公開出願番号）：特開平11-306785
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：
【要約】【課題】 EEPROM、特にフラッシュEEPROMに対する厳密なベリファイが困難である。【解決手段】 リファレンスセルをチップ内に唯一つ設け、その閾値電圧は製造工程において精密に作り込む。その値は、例えばメモリセルの消去状態における閾値電圧の上限値とする。リファレンスセルのゲート電圧とメモリセルのゲート電圧を独立して設定できる構成として、書き込みベリファイ、消去ベリファイ、過消去ベリファイそれぞれに応じて、メモリセルのゲート電圧とリファレンスセルのゲート電圧との相対的差分を変化させる。【効果】 唯一つの現実のリファレンスセルにより、閾値電圧が厳密に規定された複数のリファレンスセルを仮想的に実現する。
請求項（抜粋）：
メモリセルの出力とリファレンスセルの出力をセンスアンプで比較してデータを読み出す電気的に書き込み・消去可能な不揮発性半導体記憶装置であって、前記リファレンスセルはその閾値電圧が一定の値になるように作り込まれており、かつ前記メモリセルのゲート電圧とリファレンスセルのゲート電圧を独立して設定できるようにしたことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
FI (2件)：
G11C 17/00 634 E
, G11C 17/00 633 A
