特許
J-GLOBAL ID:200903037440786045

低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-274633
公開番号(公開出願番号):特開平10-125675
出願日: 1996年10月17日
公開日(公表日): 1998年05月15日
要約:
【要約】【課題】 SiOF中の遊離のFやHF、あるいは不安定なSiF2 結合等を減少することができる、低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法およびこれを用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 フッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜を成膜後、炭化水素を含むガスを用いたプラズマ処理を施す。【効果】 プラズマ処理により、膜中の不純物や不安定な結合が除去される。これにより、吸湿性が低下し、後工程で成膜するバリア層との密着性が向上し、高集積度かつ高速動作の半導体装置の信頼性が確保される。
請求項(抜粋):
基板上にフッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜を形成する工程と、前記フッ素を含む酸化シリコン系絶縁膜にプラズマ処理を施す工程とを有することを特徴とする低誘電率酸化シリコン系絶縁膜の形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/768
FI (2件):
H01L 21/316 P ,  H01L 21/90 K

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