特許
J-GLOBAL ID：200903037447924532
半導体製造方法及びその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-051774
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256350
出願日： 1997年03月06日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：
【要約】【課題】本発明は、半導体ウエハ表面の薄膜やレジストの凹凸及びレジストむらの影響を受けずに精度高くアライメントマーク位置を検出する。【解決手段】半導体ウエハ1に形成されたアライメントマークを各CCDカメラ9、10により撮像し、この画像信号に対して自己相関演算処理部111によりアライメントマーク幅をパラメータとする自己相関演算を行い、この演算処理結果の信号波形からマーク位置座標演算処理部112によりアライメントマークの位置座標を求める。
請求項（抜粋）：
被処理体を所定位置に位置決めするときに前記被処理体上に形成されたアライメントマークを検出する機能を有する半導体製造方法において、前記アライメントマークを撮像したときの画像信号に対して前記アライメントマーク幅をパラメータとする自己相関演算を行い、この演算処理結果の信号波形から前記アライメントマークの位置座標を求める、ことを特徴とする半導体製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/68 F
, H01L 21/30 502 A
