特許

J-GLOBAL ID：200903037452284576

光起電力素子

発明者： 狩谷 俊光 ,  斉藤 恵志
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-259692
公開番号（公開出願番号）：特開平7-115215
出願日： 1993年10月18日
公開日（公表日）： 1995年05月02日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、ZnO/pin層界面、ZnO/基板界面近傍での光励起キャリアーの再結合の抑制を目的とする。【構成】 本発明は、基板上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、該酸化亜鉛薄膜層がc軸配向性を有する結晶性であり、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有し、且つ該酸化亜鉛薄膜層はフッ素を含有し、該含有量が層厚方向に変化し、基板との界面で最小、pin層に向かって徐々に多くなっていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に酸化亜鉛薄膜層、非単結晶シリコン系半導体材料からなるpin層(p層、i層、n層)を積層してなる光起電力素子において、該酸化亜鉛薄膜層がc軸配向性を有する結晶性であり、表面に0.1〜1.0μmの凹凸を有し、且つ該酸化亜鉛薄膜層はフッ素を含有し、該含有量が層厚方向に変化し、基板との界面で最小、pin層に向かって徐々に多くなっていることを特徴とする光起電力素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-194208
  
• 特開平4-266069
  
• 特開平4-164317