特許

J-GLOBAL ID：200903037453141299

半導体メモリ

発明者： 中嶋 英晴
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-183610
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013710
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 スタックトキャパシタセル型MOSダイナミックRAMにおいて、フィールド絶縁膜の端部におけるワード線形成用の材料の表面での露光用の光線の反射に起因するワード線の形状不良が生じるのを防止する。【構成】 アクセストランジスタの活性領域のチャネル長方向の端部とフィールド絶縁膜12との境界部を覆うようにワード線WL2 を設ける。このために、フィールド絶縁膜形成用のフォトマスクのマスクパターンとワード線形成用のフォトマスクのマスクパターンとが重なるようにパターン設計を行う。

請求項（抜粋）：

1個のMOSトランジスタと1個のスタックトキャパシタとによりメモリセルが構成された半導体メモリにおいて、上記MOSトランジスタのゲート電極を構成するワード線が、上記MOSトランジスタの活性領域のチャネル長方向の端部と素子間分離用絶縁膜との境界部を覆うように設けられていることを特徴とする半導体メモリ。