特許

J-GLOBAL ID：200903037455999711

有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法

発明者： 鈴木 伸昌 ,  曽根 和穂
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 勝 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-356377
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183040
出願日： 1998年12月15日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 有機層間絶縁膜の変質や形状変化が生じないレジストアッシング方法を提供する。【解決手段】 フォトレジスト105をマスクとして使用し、有機層間絶縁膜103をエッチングしてコンタクトホール又はビアホール106を形成した後、被処理基板をプラズマに曝すことによりホール底121に露出した下地物質をプラズマ中イオンにより逆スパッタリングしホール側壁に付着させる工程と、逆スパッタリング後にフォトレジスト105をアッシング除去する工程とを含む、有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法。

請求項（抜粋）：

フォトレジストをマスクとして使用し、有機層間絶縁膜をエッチングしてコンタクトホール又はビアホールを形成した後、被処理基板をプラズマに曝すことにより該ホール底に露出した下地物質を該プラズマ中イオンにより逆スパッタリングし該ホール側壁に付着させる工程と、該逆スパッタリング後に、前記フォトレジストをアッシング除去する工程とを含むことを特徴とする有機層間絶縁膜エッチング後のレジストアッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 A

Fターム (46件)：

2H096AA27 ,  2H096HA11 ,  2H096HA13 ,  2H096HA14 ,  2H096HA30 ,  2H096LA06 ,  5F004AA08 ,  5F004BA04 ,  5F004BA09 ,  5F004BA13 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BD07 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA05 ,  5F004DA06 ,  5F004DA11 ,  5F004DA15 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA26 ,  5F004DA27 ,  5F004DA28 ,  5F004DB23 ,  5F004DB24 ,  5F004DB25 ,  5F004DB26 ,  5F004DB27 ,  5F004EA04 ,  5F004EA06 ,  5F004EA07 ,  5F004EA13 ,  5F004EA14 ,  5F004EA28 ,  5F004EA40 ,  5F004EB01 ,  5F046LB10 ,  5F046MA12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-194432   出願人：日本電気株式会社
• 珪素樹脂のパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225550   出願人：三菱電機株式会社