パターン形成方法及び露光装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：細江利昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-143485
公開番号（公開出願番号）：特開2001-324816
出願日： 2000年05月16日
公開日（公表日）： 2001年11月22日
要約：

【要約】【課題】有機分子にダメージを与えずに、かつ、迅速にパターンを形成できる方法を提供する。【解決手段】エキシマランプ1からの真空紫外光は、真空紫外光に対して透明な石英窓3aを透過し、空洞部Aを通過してマスク5に達する。空洞部Aは窒素により満たされているので、真空紫外光はほとんど吸収されずにマスク5に達する。マスクを透過した光は、有機分子膜が形成された基板6を照射して、マスク5と基板6の間にある空気中の酸素を励起して、酸素原子ラジカルを発生させる。その酸素原子ラジカルが基板6の有機分子の炭素、水素と反応して、それらをCO2、H2Oに変える。このようにして、真空紫外光が照射された部分の有機単分子膜7は分解されて気体となり排気されるので、エッチングされたあとには何も残らず、後工程での洗浄を必要としない。

請求項（抜粋）：

基板の表面に有機分子膜を形成し、露光光をパターンが形成されたマスクを通して前記有機分子膜の表面に照射することによって、前記有機分子膜を除去することでパターンを形成するパターン形成方法であって、前記露光光の光源から前記マスクまでの空間は、光路を、真空とするか前記露光光を吸収しない気体で満たして前記露光光を前記マスクに到達させ、前記マスクから前記有機分子膜までの空間は、前記露光光により活性化され、前記有機分子膜と反応して、当該有機分子膜をガス化する気体で満たした状態で露光を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (8件)：

G03F 7/20 501 , G03F 7/20 502 , B81C 1/00 , C12M 1/00 , C12N 15/09 , G01N 1/10 , G01N 37/00 102 , G01N 35/00

FI (8件)：

G03F 7/20 501 , G03F 7/20 502 , B81C 1/00 , C12M 1/00 A , G01N 1/10 N , G01N 37/00 102 , G01N 35/00 Z , C12N 15/00 F

Fターム (20件)：

2G058CA01 , 2G058CC01 , 2G058CC11 , 2H097BA02 , 2H097CA13 , 2H097FA01 , 2H097FA03 , 2H097GA45 , 2H097LA20 , 4B024AA11 , 4B024AA20 , 4B024CA09 , 4B024HA14 , 4B024HA19 , 4B029AA07 , 4B029AA23 , 4B029BB20 , 4B029CC03 , 4B029CC08 , 4B029FA15

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