特許
J-GLOBAL ID：200903037460932641
半導体素子及び太陽電池
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-250502
公開番号（公開出願番号）：特開平10-084126
出願日： 1992年01月31日
公開日（公表日）： 1998年03月31日
要約：
【要約】【課題】 高品位な半導体素子及び太陽電池を提供すること。【解決手段】 エピタキシャル成長させて得た薄膜単結晶半導体及び多結晶シリコンを有し、該薄膜単結晶半導体と該多結晶シリコンとの間で形成する半導体接合を有する半導体素子。
請求項（抜粋）：
エピタキシャル成長させて得た薄膜単結晶半導体及び多結晶シリコンを有し、該薄膜単結晶半導体と該多結晶シリコンとの間で形成する半導体接合を有する半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 A
, H01L 21/20
